真空鍍膜過程非常複雜，由于鍍膜原理的不同分爲(wèi)很多種類，僅僅因爲(wèi)都需要高真空度而擁有統(tǒng)名稱。因此對于不同原理的真空鍍膜，影響均勻性的因素也不盡雷同。並且均勻性這個概念自己也會隨著鍍膜規(guī)格和薄膜身分而有著不同的意義。

薄膜均勻性的概念：

1.厚度上的均勻性，也可以明白爲(wèi)毛糙度，在光學(xué)薄膜的規(guī)格上看(也就是1/10波長作爲(wèi)單位，約爲(wèi)100A)，真空鍍膜的均勻性已經(jīng)相當(dāng)好，可以輕松將毛糙度控制在可見光波長的1/10範(fàn)圍內(nèi)，也就是說對于薄膜的光學(xué)性來說，真空鍍膜沒有任何障礙。

但是如果是指原子層規(guī)格上的均勻度，也就是說要實(shí)現(xiàn)10A甚至1A的外表平整，是現(xiàn)在真空鍍膜中要緊的技術(shù)含量與技術(shù)瓶頸所在，具體控制因素下面會根據(jù)不同鍍膜給出詳細(xì)解釋。

2.化學(xué)組分上的均勻性：

就是說在薄膜中，化合物的原子組分會由于規(guī)格過小而很容易的産生不均勻性，SiTiO3薄膜，如果鍍膜過程不科學(xué)，那麼實(shí)際外表的組分並不是SiTiO3，而也許是其他的比例，鍍的膜並非是想要的膜的化學(xué)身分，這也是真空鍍膜的技術(shù)含量所在。

3.晶格有序度的均勻性：

這決定了薄膜是單晶，多晶，非晶，是真空鍍膜技術(shù)中的熱點(diǎn)問題，具體見下。

要緊分類有兩個大種類：

一、對于蒸發(fā)鍍膜：

般是加熱靶材使外表組分以原子團(tuán)或離子形式被蒸發(fā)出來，並且沈降在基片外表，通過成膜過程(散點(diǎn)-島狀結(jié)構(gòu)-迷走結(jié)構(gòu)-層狀生長)形成薄膜。

厚度均勻性要緊取決于：

1、基片材料與靶材的晶格匹配程度

2、基片外表溫度

3、蒸發(fā)功率，速率

4、真空度

5、鍍膜時間，厚度大小。

組分均勻性：

蒸發(fā)鍍膜組分均勻性不是很容易保證，具體可以調(diào)控的因素同上，但是由于原理所限，對于非單組分鍍膜，蒸發(fā)鍍膜的組分均勻性不行。

晶向均勻性：

1、晶格匹配度

2、基片溫度

3、蒸發(fā)速率

二、對于濺射類鍍膜：

可以簡單明白爲(wèi)使用電子或高能激光轟擊靶材，並使外表組分以原子團(tuán)或離子形式被濺射出來，並且終沈積在基片外表，經(jīng)曆成膜過程，終形成薄膜。

濺射鍍膜又分爲(wèi)很多種，總體看，與蒸發(fā)鍍膜的不同點(diǎn)在于濺射速率將成爲(wèi)要緊參數(shù)之。

濺射鍍膜中的激光濺射鍍膜pld，組分均勻性容易保全，而原子規(guī)格的厚度均勻性相對較差(因爲(wèi)是脈沖濺射)，晶向(外沿)生長的控制也比較般。以pld爲(wèi)例，因素要緊有：靶材與基片的晶格匹配程度、鍍膜氛圍(低壓氣體氛圍)、基片溫度、激光器功率、脈沖頻率、濺射時間。

對于不同的濺射材料和基片，佳參數(shù)需要實(shí)驗(yàn)確定，是各不雷同的，鍍膜設(shè)備的好壞要緊在于能否*確控溫，能否保證好的真空度，能否保證好的真空腔清潔度。MBE分子束外沿鍍膜技術(shù)，已經(jīng)比較好的解決了如上所屬的問題，但是基本用于實(shí)驗(yàn)研究，工業(yè)生産上比較常用的體式鍍膜機(jī)要緊以離子蒸發(fā)鍍膜和磁控濺射鍍膜爲(wèi)主。